型号:Savannah S200
制造厂家:VEECO
购置时间:2023年
曝光工艺模式:满足深沟槽、微结构陈列等深孔、 通孔等镀膜,曝光工艺的深宽比不小于 2000:1
薄膜均匀性:在 8”硅片上沉积 Al2O3 <1%。
目前能提供沉积源:Al2O3、SiO2、HfO2、VOX等源
臭氧发生器,6路源钢瓶
ALD Savannah system
按测试机时计费,计费标准:仪器200元/小时(院内),400元/小时(院外)。适合于超薄膜(10nm及以下)沉积,每次材料费50元。
沉积要求:硅晶圆或玻璃,表面不含易掉渣粉末或易污染腔体挥发物质
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